电容降压电路原理讲解
将交流市电转换为低压直流的常规方法是采用变压器降压后再整流滤波，当受体积和成本等因素的限制时，最简单实用的方法就是采用电容降压式电源。
【资料图】
今天我们来聊聊电容降压电路。
电容降压式简易电源的基本电路上图，C1为降压电容器，D2为半波整流二极管，D1在市电的负半周时给C1提供放电回路，D3是稳压二极管，R1为关断电源后C1的电荷泄放电阻。
在实际应用时常常采用的是下图所示的电路
当需要向负载提供较大的电流时，可采用下图所示的桥式整流电路
整流后未经稳压的直流电压一般会随负载电流的变化发生很大的波动，这是因为此类电源内阻很大的缘故所致，故不适合大电流供电的应用场合。
器件的选择
①电路设计时，应先测定负载电流的准确值，然后参考示例来选择降压电容器的容量。 因为通过降压电容C1向负载提供的电流Io，实际上是流过C1的充放电电流Ic。 C1容量越大，容抗Xc越小，则流经C1的充、放电电流越大。 当负载电流Io小于C1的充放电电流时，多余的电流就会流过稳压管，若稳压管的最大允许电流Idmax小于Ic-Io时易造成稳压管烧毁。
②为保证C1可靠工作，其耐压选择应大于两倍的电源电压。
③泄放电阻R1的选择必须保证在要求的时间内泄放掉C1上的电荷。
计算举例：
已知C1为0.33uF，交流输入为220V/50Hz，求电路能供给负载的最大电流。
C1在电路中的容抗Xc为：
Xc=1/（2πfC）=1/（23.14500.3310-6）=9.65K
流过电容器C1的充电电流Ic为：
Ic=U/Xc=220/9.65=22mA。
通常降压电容C1的容量C与负载电流Io的关系可近似认为：C=14.5I，其中C的容量单位是uF，Io的单位是A。
电容降压式电源是一种非隔离电源，在应用上要特别注意隔离，防止触电。
这一类的电路通常用于低成本取得非隔离的小电流电源。它的输出电压通常可在几伏到三几十伏，取决于所使用的齐纳稳压管。所能提供的电流大小正比于限流电容容量。采用半波整流时，每微法电容可得到电流(平均值)为:
I(AV)=0.44*V/Zc=0.44*220*2*Pi*f*C
=0.4422023.1450*C=30000C
=30000*0.000001=0.03A=30mA
如果采用全波整流可得到双倍的电流(平均值)为：
I(AV)=0.89*V/Zc=0.89*220*2*Pi*f*C
=0.8922023.1450*C=60000C
=60000*0.000001=0.06A=60mA
一般地，此类电路全波整流虽电流稍大，但是因为浮地，稳定性和安全性要比半波整流型更差，所以用的更少。
使用这种电路时，需要注意以下事项：
①未和220V交流高压隔离，请注意安全，严防触电!
②限流电容须接于火线，耐压要足够大(大于400V)，并加串防浪涌冲击兼保险电阻和并放电电阻。
③注意齐纳管功耗，严禁齐纳管断开运行。
采用电容降压电路是一种常见的小电流电源电路，由于其具有体积小、成本低、电流相对恒定等优点，也常应用于LED的驱动电路中。
下图为一个实际的采用电容降压的LED驱动电路
请注意，大部分应用电路中没有连接压敏电阻或瞬变电压抑制晶体管，建议连接上，因压敏电阻或瞬变电压抑制晶体管能在电压突变瞬间( 如雷电，大用电设备起动等)有效地将突变电流泄放，从而保护二级关和其它晶体管，它们的响应时间一般在微毫秒级。
电阻R1为泄放电阻，其作用为：当正弦波在最大峰值时刻被切断时，电容C1上的残存电荷无法释放，会长久存在。 在维修时如果人体接触到C1的金属部分，有强烈的触电可能，而电阻R1的存在，能将残存的电荷泄放掉。 从而保证人、机安全。 泄放电阻的阻值与电容的大小有关，一般电容的容量越大，残存的电荷就越多。 泄放电阻就阻值就要选小些。 经验数据如下表，供设计时参考：
压敏电阻(或瞬变电压抑制晶体管)的作用是将输入电源中瞬间的脉冲高压电压对地泄放掉，从而保护LED不被瞬间高压击穿。
LED串联的数量视其正向导通电压Vf而定﹐在220VAC电路中，最多可以达到80个左右。
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